常用电子元器件符号常用电子元器件符号 常用电子元器件参考资料 第一节 部分电气图形符号 一(电阻器、电容器、电感器与变压器 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 电感器、线圈、绕组或扼 电阻器一般符号 流图。注:符号中半圆数 不可以少于3个 带磁芯、铁芯的电感器 可变电阻器或可调 电阻器 带磁芯连续可调的电感器 滑动触点电位器 双绕组变压器 注:可增加绕组数目 极性电容 绕组间有屏蔽的双绕组变 可变电容器或可调压器 电容器 注:可增加绕组数目 双联同调可变电容 在一个绕组上有抽头的变 器。 压器 注:可...
常用电子元器件符号 常用电子元器件参考资料 第一节 部分电气图形符号 一(电阻器、电容器、电感器与变压器 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 电感器、线圈、绕组或扼 电阻器一般符号 流图。注:符号中半圆数 不可以少于3个 带磁芯、铁芯的电感器 可变电阻器或可调 电阻器 带磁芯连续可调的电感器 滑动触点电位器 双绕组变压器 注:可增加绕组数目 极性电容 绕组间有屏蔽的双绕组变 可变电容器或可调压器 电容器 注:可增加绕组数目 双联同调可变电容 在一个绕组上有抽头的变 器。 压器 注:可增加同调联数 微调电容器 二(半导体管 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 (1) JFET结型场效应 二极管的符号 管 (1)N沟道 (2) (2)P沟道 发光二极管 PNP型晶体三极管 光电二极管 稳压二极管 NPN型晶体三极 管 全波桥式整流器 变容二极管 三(其它电气图形符号 图形符号 名称与说明图形符号 名称与说明 具有两个电极 的压电晶体 注:电极数目 或 接机壳或底板 可增加 熔断器 导线的连接 指示灯及信号 导线的不连接 灯 扬声器 动合(常开)触点开 关 蜂鸣器 动断(常闭)触点开 关 接大地 手动开关 第二节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数 一(电阻器和电位器 1( 电阻器和电位器的型号命名方法
1 电阻器型号命名方法 第一部分:主称第二部分:材料 第三部分:特征分类 第四部分:序号 符 符意义 符号 意义 号 意义号 电阻器 电位器 R 电阻器T 碳膜 1 普通普通 W 电位器H 合成膜 2 普通 普通 S 有机实芯 3 超高频 ―― 对主称、材N 无 机实芯4 高阻 ―― 料相同，仅性能J 金属膜5 高温 ―― 指标、尺寸大小Y氧化膜 6 ―― ―― 有差别，但基本C 沉积膜 7 精密精密 不影响互换使用I玻璃釉膜 8 高压 特殊函数 的产品，给予同P 硼碳膜 9特殊 特殊 一序号;若性能U硅碳膜 G 高功率 ―― 指标、尺寸大小X 线绕T 可调 ―― 明显影响互换M 压敏W ―― 微调 时，则在序号后G 光敏 D ――多圈 面用大写字母作R 热敏 B 温度补偿用 ―― 为区别代号。 C温度测量用 ―― P旁热式 ―― W 稳压式―― Z 正温度系数 ―― 示例: (1) 精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分:序号 第三部分:类别(精密) 第二部分:材料(金属膜) 第一部分:主称(电阻器) (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分:序号 第三部分:类别(多圈) 第二部分:材料(线绕) 第一部分:主称(电位器) 2(电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间持续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的上限功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的上限功率。不一样的电阻具有不一样系列的额定功率，如表2所示。 表2 电阻器的功率等级 名称 额定功率(W) 实芯电阻器 0.25 0.51 2 5 , 0.5 1 26 10 15 线 0.250.5 1 薄膜电阻器 2 510 25 50 100 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不一样的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 表3 标称值系列 标称值系列精度 电阻器(,)、电位器(,)、电容器标称值(PF) 1.0 1.1 1.21.3 1.5 1.6 1.8 2.0 E24 2.74.3 2.22.4 3.0 3.3 3.63.9 ,5% 4.7 5.15.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 1.0 1.2 2.2 1.5 1.82.7 E12 3.3 3.94.7 5.6 6.88.2 , , ,10% E6 1.01.5 2.2 3.3 4.7 6.88.2 , ,20% n 表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数。 (3) 允许误差等级 表4 电阻的精度等级 允许误差,0.1 ,0.001 , 0.002 , 0.005 ,0.01 ,0.02 ,0.05 (%) 等级符号 E X YH U W B 允许误差,0.2 ,0.5 ,1 ,2,5 ,10 ,20 (%) 等级符号 CD F G J(I) K (II) M(III) 3(电阻器的标志内容及方法 (1) 文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额 定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5,，2K7表示2.7k,， 表, 文字符号R K M G T 36912表示单位欧姆(,) 千欧姆 (10,)兆欧姆(10 ,) 千兆欧姆(10,) 兆兆欧姆 (10,) 例如: RJ71,0.125,5k1,II 允许误差,10% 标称阻值(5.1k,) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1k,，允许误差为,10%。 (2) 色标法: 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点) 标注在它的外表面上。色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 颜 色第一位有效值 第二位有效值 倍 率 允 许 偏 差 黑 0 0 棕 1 1 红 2 2 橙 3 3 黄 4 4 绿 5 5 蓝 6 6 紫 7 7 灰 8 8 白 9 9 ―20% ~ +50% 金 5% 银 10% 无色 20% 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为,20%)。例如，色环为棕黑红，表2示10，10,1.0k,,20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值(二位有效数字)及精度。例如，色环为棕绿橙金表示315，10,15k,,5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值(三位有效数字)及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表4示275，10,2.75M,,1%的电阻器。 一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的(1.5~2)倍。 有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 颜色 第一位有效值 第二位有效值 第三位有效值 倍 率 允许偏差 黑 0 0 0 棕 1 1 1 1% 红 2 2 2 2% 橙 3 3 3 黄 4 4 4 绿5 5 5 0.5% 蓝6 6 6 0.25 紫7 7 7 0.1% 灰8 8 8 白 9 9 9 金 银 图2 三位有效数字阻值的色环表示法 4(电位器的主要技术指标 (1) 额定功率 电位器的两个固定端上允许耗散的上限功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。 (2) 标称阻值 标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。 (3) 允许误差等级 实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许,20%、,10%、,5%、,2%、,1%的误差。精密电位器的精度可达0.1%。 (4) 阻值变化规律 指阻值随滑动片触点旋转角度(或滑动行程)之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式(指数式)。 在使用中，直线式电位器适合于作分压器;反转对数式(指数式)电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。 5(电位器的一般标志方法 WT,2 3.3k ,10% 允许误差,10% 标称阻值3.3k, 额定功率2W 碳膜电位器 WX,1 510, J 允许误差,5% 标称阻值510, 额定功率1W 线绕电位器 二(电容器 1(电容器型号命名法 表6 电容器型号命名法 第一部分:主第二部分: 第三部分: 称 材料 特征、分类 第四部分: 序号 符号 意 符意义 符 义号 意义 号 瓷介 云母 玻璃 电解 其他 C1 电 瓷介圆片 非密封 , 箔式 非密封 对主称、材料相同，仅尺 容 寸、性能指标略有不同，Y 2 云母 管形 非密封,箔式 非密封 器 但基本不影响互使用的产I 3 玻璃釉 迭片 密封 , 烧结粉固体 密封 品，给予同一序号;若尺O 4玻璃膜独石 密封 , 烧结粉固体 密封 寸性能指标的差别明显;Z 5 纸介穿心 , , , 穿心 影响互换使用时，则在序J 6 金属化纸 支柱, , , , 号后面用大写字母作为区B 7 聚苯乙烯 , , , 无极性, 别代号。 L 8 涤纶 高压高压 , , 高压 Q 9 漆膜, , , 特殊 特殊 S J 聚碳酸脂 金属膜 H W 复合介质 微调 D 铝 A 钽 N 铌 G 合金 T 钛 E 其他 示例: (1) 铝电解电容器 C D 1 1 第四部分:序号 第三部分:特征分类(箔式) 第二部分:材料(铝) 第一部分:主称(电容器) (2) 圆片形瓷介电容器 C C 1,1 第四部分:序号 第三部分:特征分类(圆片) 第二部分:材料(瓷介质) 第一部分:主称(电容器) (3)纸介金属膜电容器 C Z J X 第四部分:序号 第三部分:特征分类(金属膜) 第二部分:材料(纸介) 第一部分:主称(电容器) 2(电容器的主要技术指标 (1) 电容器的耐压: 常用固定式电容的直流工作电压系列为:6.3V，10V，16V，25V， 40V，63V，100V，160V，250V，400V。 (2) 电容器容许误差等级:常见的有七个等级如表7所示。 表7 +50% +100% +20%容许误差 -30% -20% -10% ,2% ,5% ,10% ,20% 级别0.2 I II IIIIV V VI , 電容常用字母代表誤差:B: ?0.1,,C: ?0.25,,D: ?0.5,,F: ?1,,G: ?2 ,,J: ?5,,K: ?10,,M: ?20,,N: ?30,,Z:+80,-20,。 (3) 标称电容量: 表8 固定式电容器标称容量系列和容许误差 系E24 E12 E6 列 代 号 容,5%(I)或(J) ,10%(II)或(K) ,20%(III)许或(m) 误 差 标10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,10,12,15,18,22,27,33,39,10,15,22,23称47,51,56,62,68,75,82,90 47,56,68,82 ,47,68 容 量 对 应 值 注:标称电容量为表中数值或表中数值再乘以，其中n为正整数或负整数，单位为pF。 3(电容器的标志方法 (1) 直标法 容量单位:F(法拉)、,F(微法)、nF(纳法)、pF(皮法或微微法)。 1法拉=微法=微微法， 1微法=纳法=微微法 1纳法=微微法 例如:4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22,F，51 表示51pF。 有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF;用小于1的数字表示单位为,F 的电容，例如0.1表示0.1,F。 (2) 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，i-1后一位表示位率。即乘以10，i为第三位数字，若第三位数字9，则乘10。如223J代表3-122，10pF,22000pF,0.22,F，允许误差为,5%;又如479K代表47，10pF，允许误差为,5%的电容。这种表示方法最常见。 (3)色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。 三(电感器 1(电感器的分类 常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。 2(电感器的主要技术指标 (1) 电感量: 在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比 其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即: 式中:,,磁通量 I,电流强度 (2) 固有电容:线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感 器的固有电容。 (3) 品质因数: 电感线圈的品质因数定义为: 式中:,,工作角频率，L,线圈电感量，R,线) 额定电流:线圈中允许通过的最大电流。 (5) 线圈的损耗电阻:线(电感器电感量的标志方法 (1) 直标法。单位H(亨利)、mH(毫亨)、,H(微亨)、 (2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。 (3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种 颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为,H，第四种颜色是误差位。 四(半导体分立器件 1(半导体分立器件的命名方法 (1) 我国半导体分立器件的命名法 表9 国产半导体分立器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语拼音字母 用数字用汉语拼件电极的数目 件的材料和极性 表示器件的类型 表示器件音表示规 序号 格的区别符意义符 意义符 意义 符意义 代号 号号 号 号 2 N型，锗材料 D 二极管 A P普通管 低频大功率管 P型，锗材料 V (,3MHz, B微波管 C N型，硅材料 W P,1W) 稳压管 C D P型，硅材料 C A 高频大功率管 参量管 Z整流管 ( ,3MHz 3 三极管A PNP 型，锗材料 L 整流堆 P,1W) C B NPN型，锗材料 S 隧道管 T 半导体闸流管 C PNP 型，硅材料N 阻尼管 (可控硅整流器) D NPN型，硅材料 U 光电器件 Y体效应器件 E 化合物材料K 开关管 B 雪崩管 X 低频小功率管 J 阶跃恢复管 (,3MHz, CS 场效应器件 P
也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。 4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品;一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。 5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数(如h或N)进行分档。 FEF 6) 型号中的符号均不反映器件的极性(指NPN或PNP)。极性的确定需查阅手册或测量。 (3) 美国半导体器件型号命名法 美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会(EIA)规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。 表11 美国电子工业协会半导体器件型号命名法 第一部分 第二部分第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示用数字表示 美国电子工业协会美国电子工业协会用字母表示 用途的类型 PN结的数目 (EIA)注册标志 (EIA)登记顺序号器件分档 符号 意义 符号意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 JAN 1二极管 该器件 或J 军用品 同一 已在美国多 该器件在A2 三极管 N电子工业 位 B 型号的美国电子工 3 三个PN 协会注册数业协会登记 C 不同档 结器件 登记 字 的顺序号 D 别 无 非军用品 n n个PN ？ 结器件 例: 1) JAN2N2904 2) 1N4001 JAN 2 N 2904 1 N 4001 EIA登记序号 EIA登记序号 EIA注册标志 EIA注册标志 三极管 二极管 军用品 美国晶体管型号命名法的特点: 1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能 是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。 2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。 3) 除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N？？开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。 4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。 5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。 6) 登记序号数大的通常是近期产品。 (4) 日本半导体器件型号命名法 日本半导体分立器件(包括晶体管)或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准(JIS)规定的命名法(JIS,C,702)命名的。 日本半导体分立器件的型号，由五至七部分所组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有: M,松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。 N,松下公司用来表示该器件符合日本广播协会(NHK)有关标准的登记产品。 Z,松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。 H,日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。 K,日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。 T,日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。 G,东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。 S,三洋公司用来表示专为通信设施制造的器件。 第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母;日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数h的分档标志。 FE 表12 日本半导体器件型号命名法 第一部分第二部分 第三部分 第四部分第五部分 用数字表示类型 S表示日本电子用字母表示器件 用数字表示在用字母表示 或有效电极数工业协会 的极性及类型 日本电子工业对原来型号 (EIAJ)的注册协会登记的顺的改进产品 产品 序号 符号 符符 符符号 意义 号意义 号 意义 号意义 意义 光电(即光 PNP型高频管 从 11 用 表示已AABCDEF？？ 敏)二极 开始，表 字母在日本电B PNP 型低频管 0 管、晶体S子工业协 四示在日本表示C NPN型高频管 管及其组会(EIAJ)注位电子工业对原DNPN型低频管 合管 册登记的以协会注册来型 半导体分上登记的顺号的1 二极管 F P控制极可控 立器件 的序号，不改进硅 数同公司性产品 三极管、G N控制极可控 字 能相同的 具有两个硅 器件可以2以上PN H N基极单结晶 使用同一结的其他体管 顺序号，晶体管 JP沟道场效应 其数字越管 K N 沟道场效应大越是近 管 期产品 双向可控硅 具有四个M 3有效电极 或具有三？？ 个PN结 的晶体管 具有n个 有效电极 n-1 或具有 n-1个PN 结的晶体 管 示例: 1)2SC502A(日本收音机中常用的中频放大管) 2 S C 502 A 2SC502型的改进产品 日本电子工业协会登记顺序号 NPN型高频三极管 日本电子工业协会注册产品 三极管(两个PN结) 2)2SA495(日本夏普公司GF,9494收录机用小功率管) 2 S A 495 日本电子工业协会登记顺序号 PNP高频管 日本电子工业协会注册产品 三极管(两个PN结) 日本半导体器件型号命名法有如下特点: 1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。 2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。 3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。 4) 第四部分只表示在日本工业协会(EIAJ)注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。 5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。 6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。 7) 在低频管(2SB和2SD型)中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率f为100MHz，所以，它们也可当高频管用。 T 8) 日本通常把P,1W的管子，称做大功率管。 cm 2(常用半导体二极管的主要参数 表13 部分半导体二极管的参数 参 最大正向正向压反向最高反反向零偏反向恢复时类型 数整流电流 降(在击穿向工作电流压电间/ns 型 电流/mA左栏电 电压电压/V容 /,A 号 /mA 流值/V /pF 下)/V 普通2AP9 (MHz)150 20 f,2.5 ,40 H检波,16 ,1 ,250,1 2AP7 100,5 ,150 二极2AP11 (MHz)40 f,25 ,10 ,10 H管 ,1 ,250,1 2AP17 ,15,10 ,100 锗开2AK1 30 10 关二,150 ,1 ,3,200 2AK2 4020 极管 2AK5 60 40 ,200 ,0.9 ,2 ,150 2AK10 70 50,10 ,1 ,2 ,150 2AK13 60 40 ,250,0.7 2AK14 70 50 硅开2CK70A~E ,10 ,3 关二,0.8A,30 A,20, 1.5 2CK71A~E ,20 ,4 极管 B,45 B,30 2CK72A~E ,30 C,60 C,40 2CK73A~E ,50 D,75 D ,50 ,1 ,5 2CK74A~D ,100 E,90 E,60 ,1 2CK75A~D ,150 2CK76A~D ,200 参 最大正向正向压 反向最高反反向零偏反向恢复时间类型 数 整流 电流降(在 击穿向工作电流压电/ns 型 电流/mA 左栏电 电压电压/V 容/pF/,A 号 /mA 流值/V 下)/V 整流2CZ52B 25 同2AP普通二极管 二极20.1 ,1 ？ H ？ 600 管 2CZ53B 50 6 0.3 ,1 ？ M ？ 1000 2CZ54B 50 10 0.5 ,1 ？ M ？ 1000 2CZ55B 50 201 ,1 ？ M ？ 1000 2CZ56B 25 65 3 ,0.8 ？ B ？ 1000 1N4001 50 30 1 1.1 5 ？ 4007 ？ 1000 1N5391 50 50 1.5 1.4 10 ？ 5399 ？ 1000 1N5400 50 2003 1.2 10 ？ 5408 ？ 1000 3.常用整流桥的主要参数 表14 几种单相桥式整流器的参数 参数不重复正向 整流 正向电 反向漏 反向工作电压/V 最高工作 o型号 浪涌电流/A 电流/A 压降/V 电 /,A 结温/C QL11 0.05 常见的分档为:25，2 0.1 QL2 50，100，200，400，,10 QL4 6 0.3 500，600，700，800，130 ,1.2 QL5 10 0.5 900，1000 QL6 20 1 QL740 2 ,15 QL8 60 3 4.常用稳压二极管的主要参数 表15 部分稳压二极管的主要参数 测试条件 工作电流为稳定电稳定电 环境和温度稳定电流下 环境和温度 oo 参 稳定电流 压下
150 FE B 管 脚 E C (5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管 表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数 原 型 号 3DG12 测 试 条 件 新 型 号3DG130A 3DG130B 3DG130C 3DG130D (mW) 700700 700 700 PCM 极I(mA) 300 300300 300 CM 限BV(V) ,100µA I, 40, 60 , 40 , 60 CBOC参BV(V) I,100µA , 30 , 45 , 30 , 45 CEOC数 BV(V) I,100,A , 4 , 4 , 4 , 4 EBOE ,10V VI(,A) , 0.5 , 0.5 , 0.5 , 0.5 CBCBO 直,10V VI(,A) , 1 , 1 , 1 , 1 CECEO 流,1.5V VI(,A), 0.5 , 0.5 , 0.5 , 0.5 EBEBO 参V(V) I,100mA I,10mA , 1 , 1 , 1 , 1 BESCB数 V(V) ,100mA I,10mA I, 0.6 , 0.6 , 0.6, 0.6 CESCB h V,10V I,50mA ,30 , 30 , 30 , 30 FECEC交V,10V I,50mA f,100MHz R,f(MHz) , 150 , 150 , 300 , 300 CBELT 流5, 参V,–10V I,50mA f,100MHz K(dB) , 6 , 6 , 6 , 6 CBEP 数 C(pF) V,10V I,0 , 10 , 10 , 10 , 10 obCBE h色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)
150 FE B 管 脚 E C (5) 9011~9018塑封硅三极管 表21 9011~9018塑封硅三极管的参数 (3DG) (3CX) (3DX)(3DG) (3CG)(3DG) (3DG) 型 号 9011 9012 9013 9014 9015 9016 9018 极P(mW) 200 300300 300 300 200 200 CM 限I(mA) 20 300 300100 100 25 20 CM 参BV(V)20 20 20 2525 25 30 CBO 数 BV(V) 18 18 18 20 20 20 20 CEO BV(V) 5 55 4 44 4 EBO 0,5 0.05 0.050.05 0.05 0.01 0.5I(,A) CBO 直0.1 1 1 0.5 0.5 0.5 0.5 I(,A) CEO 流0.5 0,5 0.05 0.050.05 0.05 0.01I(,A) EBO 参V(V)0.5 0.5 0.50.5 0.50.5 0.35 CES 数 V(V) 1 1 11 1 1 BES h 30 30 30 30 3030 30 FE 交f(MHz)100 80 80 500 600 T 流C(pF)3.5 2.5 4 1.6 4 ob 参K(dB) 10 P 数 h色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)
150 FE 管 脚 E B C 6(常用场效应管主要参数 表22 常用场效应三极管主要参数 N沟道结型 MOS型N沟道耗尽型 参数名称 3DJ23DJ4 3DJ6 3DJ73D01 3D02 3D04 D~HD~H D~HD~H D~H D~H D~H 饱和漏源电流I(mA) 0.3~10 0.3~10 0.3~10 0.35~1.8 0.35~10 0.35~25 0.35~10.5 DSS 夹断电压V(V)
2000
2000
1000
3000 ,1000 ,4000,2000 m 最大漏源电压BV(V)
20
20
20
20
20
12~20
20 DS 最大耗散功率P(mW)100 100 100 100 100 25~100 100 DNI 8 888889 栅源绝缘电阻r(,) ,10,10 ,10,10 ,10 ,10~10,100 GS G D 或 管脚 S D S G 五(模拟集成电路 1.模拟集成电路命名方法(国产) 表23 器件型号的组成 第0部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 用字母表示器件用字母表示器件的类型 用阿拉伯数 用字母表示器件用字母表示器件的封装 符合国家标准 字表示器件的工作时候的温度范围 的系列和品符意义 符意义 符号 意义 符意义 种代号 号 号 号 o C 中国制造 T TTL C 0~70C W 陶瓷扁平 oH HTL E -40~85C B 塑料扁平 oE ECL R -55~85CF全封闭扁平 oC CMOS M CD 陶瓷直插 -55~125 F 线性放大器 P 塑料直插 ？？？？ D 音响、电视电路 J黑陶瓷直插 W 稳压器 K 金属菱形 J 接口电路 T金属圆形 例: C F 741 C T 金属圆形封装 o o 0 ~ 70C 器件代号 线性放大器 中国国家标准 2(国外部分公司及产品代号 表24 国外部分公司及产品代号 公司名称 代号 公司名称 代号 美国无线电公司(BCA) CA美国悉克尼特公司 (SIC) NE 美国国家半导体公司 (NSC) LM 日本电气工业公司(NEC) ,PC 美国莫托洛拉公司(MOTA) MC 日本日立公司(HIT) RA 美国仙童公司(PSC) 日本东芝公司(TOS) TA ,A 美国德克萨斯公司(TII)TL 日本三洋公司(SANYO) LA，LB 美国模拟器件公司(ANA) AD 日本松下公司 AN 美国英特西尔公司(INL)IC 日本三菱公司 M 3(部分模拟集成电路引脚排列 (1) 运算放大器，如图3所示: (2) 音频功率放大器，如图所示: 抑 抑 正 输 调 电 自 制 制 输 电 出 零 源 举 纹 空 纹 入 空 源 端 端 端 端 波 脚 波 端 脚 8 7 6 5 14 13 12 11 10 9 8 LM741 LA4100 1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7 调 负 正 负 输 电 衬 补 补 负 空 零 输 输 电 出 源 底 偿 偿 反 脚 端 入 入 源 端 地 地 端 端 馈 端 端 端 端 图3 图4 (3) 集成稳压器，如图所示: LM 317 调 输 整 入 1 2 3 输出 图 5 4(部分模拟集成电路主要参数 (1) ,A741运算放大器的主要参数 表25 ,A741的性能参数 电源电压+U+3V~+18V，典型值+15V CC -U-3V~-18V， -15V工 作 频 率 10kHz EE 输入失调电压U2mV 单位增益带宽积A•BW1MHz IO u 输入失调电流I20nA 转换速率S0.5V/,S IO R 开环电压增益A106dB 共模抑制比CMRR 90dB uo 输入电阻R 50mW 功率消耗2M, i 输出电阻R 输入电压范围75, ,13V o (2) LA4100、LA4102音频功率放大器的主要参数 表26 LA4100~LA4102的典型参数 典 型 值 参数名称/单位 条 件 LA4100 LA4102 耗散电流/mA 静 态 30.0 26.1 电压增益/dB R,220,，f,1kHz 45.4 44.4 NF 输出功率/W THD,10%，f,1kHz 1.9 4.0 总谐波失线 输出噪声电压/mV R,0，U,45dB 0.24 0.21 gG 注:+U,+6V(LA4100)+U,+9V(LA4102) R,8, CCCCL (3) CW7805、CW7812、CW7912、CW317集成稳压器的主要参数 表27 CW78，，，CW79，，，CW317参数 参数名称/单位 CW7805CW7812 CW7912 CW317 输入电压/V +10 +19 -19 ,40 输出电压范围/V+4.75~+5.25 +11.4~+12.6 -11.4~-12.6 +1.2~+37 最小输入电压/V+7 +14 -14 +3,V-V,+40 io电压调整率/mV +3 +3 +3 0.02%/V 最大输出电流/A 加散热片可达1A 1.5
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