，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不一样RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
凭借其卓越性能而被不断应用于光伏发电、电动汽车、轨道交通和风力发电等领域，引领着电力电子领域的一次技术革命。全球碳化硅功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62.97亿美元，年均复合增长率达34%。
汽车一直是碳化硅（SiC）的主要应用市场。在整个汽车半导体供需发生改变的情况下，碳化硅是否还会延续此前供不应求的市场行情？
下一代 CMOS 逻辑晶体管的另一个有希望的候选者是通道是过渡金属二硫属化物 (TMD) 化合物的二维材料（单层和极薄材料）的晶体管。
众所周知，GaN 功率晶体管的核心问题之一是它们在开关操作期间的动态导通电阻 (RDS(ON)) 增加，这会影响 GaN 功率晶体管和总系统的可靠性。
在电动汽车领域，纯电动汽车BEV、混合动力HEV、插电式混合动力电动汽车PHEV、400伏/800伏的系统将直接影响碳化硅（SiC）相对采用率，800伏的纯电动汽车动力系统最大有可能采用SiC器件。
中国电动汽车的崛起。在拆解比亚迪最新一代平价电动汽车海豹后，瑞银汽车团队认为到2030年，中国电动汽车厂商的全球市场占有率将从2022年的17%增至33%，这将对全球供应商格局生重大影响。
功率半导体行业具有广泛的应用前景和稳定的市场需求，同时也是一个技术壁垒较高的领域。随着新技术的发展和市场需求的多样化，功率半导体行业将继续保持增长态势，并且将不断推动技术创新和产业升级。
主驱采用碳化硅，综合损耗比硅器件降低70%，行程里程提升约5%。在OBC上采用碳化硅，器件数量减半，意味着被动器件直接减半，且配套的驱动电路也减少了，体积下降的同时成本也在下沉。这也是怎么回事OBC应用碳化硅比驱动应用早的原因。
功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。可以在一定程度上完成电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。
功率器件分为泛材类器件与IGBT器件两类，IGBT器件是开关器件，优点是体积小、寿命长、可靠性高，现在市场上使用程度最大的是第4代器件，全球有突出贡献的公司为英飞凌，其现在的IGBT器件为商业化的第七代，主要使用在于乘用车、光伏和风电能源领域。
GaAs器件在微波领域的应用十分普遍，器件分类齐全，包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。
本文将详细的介绍各大主机厂在SIC/IGBT模块上的布局，以及现在的产能应用情况等，探讨车企大规模进入功率半导体行业背后的原因，助力车规级功率半导体产业的健康持续发展。
虽然氮化镓的HEMT器件相对碳化硅来说起步晚了点，但是现在氮化镓的HEMT器件的势头非常迅猛，所以对于氮化镓器件的生产厂商来说，评测氮化镓器件的紧迫性也是非常强烈的。
在碳化硅产业链中，碳化硅衬造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。 碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
从去年至今，我国氧化镓半导体制备技术已屡获突破。从去年的2英寸衬底到6英寸衬底，再到最新的8英寸外延片，我国氧化镓半导体制备技术越来越成熟。
现有车用控制器普遍采用硅芯片，经过20多年的技术开发已经十分成熟，在许多方面已逼近甚至达到了其材料的本征极限。以碳化硅为代表的第三代半导体材料因具有高热导率、高硬度、耐非物理性腐蚀、耐高温、对光波透明等优良性质，吸引各国学者的注意力，目前已成为电力电子器件的新宠。
静电放电（ESD）二极管通过耗散静电放电的高能量来保护关键电子系统和子系统。这可保护重要的SOC（系统芯片）和其他器件在ESD事件期间免遭损坏。
近期，半导体产业网记者从安建科技官微获悉，安建科技将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内IGBT芯片及加工工艺设计方面的双重技术一马当先的优势。
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